特許

J-GLOBAL ID：200903034518042111

β線検出器

発明者： 石倉 剛
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-082393
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274450
出願日： 2000年03月23日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】所定のβ線入射傾角範囲において所定の方向特性を満足するβ線検出器を提供する。【解決手段】β線検出器に使用される放射線検出素子には、β線入射側の平面全面にヘテロ接合またはpn接合が形成され、空乏層が放射線検出素子の側面に到達するように形成される。例えば、高抵抗率のp形シリコン基板11a に溝17が形成され、溝17が形成された側の表面全体にアモルファスシリコン膜12a が形成され、溝17を除くアモルファスシリコン膜12a 上に上部電極14a が形成され、他面には下部電極13a が形成されている。溝の深さは、所定の方向特性を得るに必要な空乏層の厚さ以上であり、空乏層の下端16が溝17の表面に達している。

請求項（抜粋）：

ヘテロ接合またはpn接合に印加された逆方向バイアスが形成する空乏層によって放射線を検出する半導体放射線検出素子でβ線及びγ線を検出するβ線・γ線検出手段と、前記同様の半導体放射線検出素子でγ線を検出するγ線検出手段とを備え、β線・γ線検出手段の出力のγ線成分をγ線検出手段の出力で補償してβ線の線量当量を計測するβ線検出器において、前記空乏層の厚さが所定の方向特性に合わせて設定され、前記空乏層が半導体放射線検出素子の側面表面に到達または近接していることを特徴とするβ線検出器。

IPC (4件)：

H01L 31/09 ,  G01T 1/02 ,  G01T 1/24 ,  G01T 7/00

FI (5件)：

G01T 1/02 B ,  G01T 1/24 ,  G01T 7/00 A ,  G01T 7/00 C ,  H01L 31/00 A

Fターム (22件)：

2G088BB05 ,  2G088EE11 ,  2G088FF04 ,  2G088FF05 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ01 ,  2G088JJ08 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ32 ,  2G088JJ37 ,  2G088KK28 ,  2G088KK29 ,  2G088LL06 ,  5F088AA02 ,  5F088AB03 ,  5F088AB05 ,  5F088BA04 ,  5F088BA20 ,  5F088BB07 ,  5F088DA01 ,  5F088DA17 ,  5F088LA07