特許

J-GLOBAL ID：200903034520176230

縦型熱処理装置

発明者： 柴田 利光
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-039965
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223538
出願日： 1997年02月07日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 縦型熱処理装置を用いて半導体ウエハの表面にCVD処理により例えば薄膜を形成するにあたり、パーティクルの発生を抑えること。【解決手段】 下端部が開口している縦型の単一の反応管2を用い、この反応管の下端部に設けられたマニホ-ルド4に、処理ガスを供給するためのインジェクタ42と排気管44とを接続する。マニホ-ルド4の内周面を空間を介して覆うと共に、ウエハボ-ト5の昇降領域を囲むように筒状部材61を設ける。この筒状部材61の上下両縁部にリング体62a,62bを設けて、リング体62aには排気孔63を形成し、マニホ-ルド4の内周面との間に排気空間Sが形成されたカバ-6を構成する。反応管2内の気相状態の反応生成物を排気孔63から排気空間Sを介して排気すると、前記反応生成物は当該排気空間S内で凝固し、この空間S内に閉じ込められるのでパーティクルの発生が抑えられる。

請求項（抜粋）：

下端部が開口している縦型の単一の反応管と、この反応管の下端部に設けられ、排気管が接続された筒状のマニホ-ルドと、前記反応管の周囲を取り囲むように設けられた加熱部と、複数の被処理基板を棚状に保持し、前記反応管の下方側から搬入する保持具と、反応管の内部に処理ガスを供給するためのガス供給管と、を備え、被処理基板に化学的気相反応により薄膜を形成する縦型熱処理装置において、前記マニホ-ルドの内周面を空間を介して覆うと共に、保持具の昇降領域を囲むように筒状部材を設け、前記反応管内のガスを前記筒状部材に形成された空間を介して前記排気管により排気することを特徴とする縦型熱処理装置。