特許

J-GLOBAL ID：200903034522065100

半導体集積回路装置

発明者： 岡田 澄夫 ,  清水 一男 ,  星 彰郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-170942
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021677
出願日： 1991年07月11日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ヒートシンク付多ピンICのリード部を電解メッキする際のメッキ電流による回路損傷を回避する。【構成】 リードフレーム3の一部をヒートシンク2に電気的に導通させた状態を樹脂で封止・固定する。【効果】 リードフレーム3とヒートシンク2の間に電流バイパス路が形成され、メッキ電流が半導体基板1を迂回して流れるようになることで、上記目的が達成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板をヒートシンクに装着し、かつリードフレームに連接する多数のリード部との配線を行なうとともに、上記リードフレームの一部を上記ヒートシンクに電気的に導通させた状態を樹脂で封止・固定したことを特徴とする半導体集積回路装置。