特許
J-GLOBAL ID：200903034523545156
微細パタ-ンの作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
井上 俊夫
, 井上 俊夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-240698
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237926
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【課題】 自己組織化分子を用いて微細なパターンを形成すること。【解決手段】 GaAsよりなるエピタキシャル層11とAlx Ga(1-x) Asよりなるエピタキシャル層12との積層体1を、オクタデカンチオールを溶解したエタノール溶液中で劈開する。劈開した面におけるエピタキシャル層11の(110)面にオクタデカンチノール分子3が選択的に吸着され、この積層体1を純エタノールで洗浄することによりエピタキシャル層11の厚さに対応したオクタデカンチノール分子3のラインが得られる。この他GaAsの(100)面をエッチングしてV溝を形成すると、このV溝に選択的にAlx Ga(1-x) As層が成長するのでこの上にステアリン酸誘導体分子を選択的に吸着させてラインを得ることもできる。
請求項（抜粋）：
自己組織化分子の化学吸着性が互いに異なり、互いに隣接する面を、非酸化雰囲気内で被処理体に形成する第1工程と、次いで自己組織化分子が分子状態で流動している雰囲気内に前記互いに隣接する面を置き、これにより自己組織化分子を被処理体に化学吸着させる第2工程と、その後前記被処理体を洗浄して当該被処理体に付着した過剰な自己組織化分子を除去し、自己組織化分子のパタ-ンを得る第3工程と、を含むことを特徴とする微細パタ-ンの作製方法。
IPC (6件)：
H01L 51/00
, H01L 21/20
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
H01L 29/28
, H01L 21/20
, H01L 21/203 M
, H01L 21/205
, H01L 21/28 301 Z
, H01L 21/88 M
