特許

J-GLOBAL ID：200903034524202813

導電パターン及びその形成方法

発明者： 高杉 知
出願人/特許権者： サンコール株式会社
代理人 (1件)： 江原 省吾 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-250367
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098252
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】 ウェットエッチングにより導電パターンを形成する際、深さ方向だけでなく横方向にも略等距離ずつエッチングされるため、パターン間隔は導電膜厚の2倍程度が最小限界になり、高密度パターン形成が困難になる点。【解決手段】 方法は、金属ブランク板11上に絶縁膜12と導電性薄膜を順次、積層形成する工程と、導電性薄膜上にフォトレジストパターンを積層形成する工程と、それをマスクとして導電性薄膜をウェットエッチングして高密度パターンを含んだ薄い下層導電パターン10aを形成する工程と、フォトレジストパターンを除去する工程と、下層導電パターン10a上に電解又は無電解メッキにて上層導電パターン10bを成長させて積層形成し、下層導電パターン10aと上層導電パターン10bとの2層構造からなる導電パターン10を被着形成する工程とを含む。導電パターンは上記方法で形成される。

請求項（抜粋）：

金属ブランク板上の全面に絶縁膜と導電性薄膜を順次、積層形成する工程と、上記導電性薄膜上に所定形状のフォトレジストパターンを積層形成する工程と、上記フォトレジストパターンをマスクとして導電性薄膜をウェットエッチングしてパターニングし、高密度パターンを含んだ下層導電パターンを形成する工程と、上記フォトレジストパターンを除去する工程と、上記下層導電パターン上に電解又は無電解メッキにて上層導電パターンを成長させて積層形成し、下層導電パターンと上層導電パターンとの2層構造からなる導電パターンを被着形成する工程とを含むことを特徴とする導電パターンの形成方法。

IPC (4件)：

H05K 3/24 ,  G11B 21/21 ,  H05K 1/05 ,  H05K 3/06

FI (4件)：

H05K 3/24 A ,  G11B 21/21 C ,  H05K 1/05 A ,  H05K 3/06 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-045887
  
• プリント配線板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-288824   出願人：日東電工株式会社