特許

J-GLOBAL ID：200903034527698348

分布帰還型半導体レーザ

発明者： 黄 翊東
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-242281
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077774
出願日： 1998年08月27日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 反射戻り光耐性の高い分布帰還型半導体レーザの提供。【解決手段】 共振器10を構成する回折格子構造12を、共振器長さ方向に沿って二つの領域14および16に分けて設けている。さらに、第1領域14と第2領域16との間に、位相シフト部18を設けている。そして、位相シフト部18における位相シフト量をλ/n(ただし、λは発振波長、n>4)、例えばλ/8(n=8)に相当する量とする。

請求項（抜粋）：

共振器を構成する回折格子構造を、共振器長さ方向に沿って複数の領域に分けて設け、前記領域どうしの間に、位相シフト部を設け、前記位相シフト部における全位相シフト量をλ/n(ただし、λは発振波長、n>4)に相当する量としたことを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。

Fターム (6件)：

5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA12 ,  5F073EA27 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭64-051687
  
• 特開昭63-032988
  
• 特開平1-239892
  
• 特開平2-077185
  
• 特開昭60-178685