特許

J-GLOBAL ID：200903034529954562

ガス反応装置

発明者： 弥延 剛 ,  石井 昭典 ,  林 佑二 ,  松本 泰重
出願人/特許権者： 北辰工業株式会社 ,  富士通株式会社
代理人 (1件)： 庄子 幸男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-013306
公開番号（公開出願番号）：特開平9-201527
出願日： 1996年01月29日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】 プラズマのボリュームを大きくでき、効率的にガスを改質できるガス反応装置を提供する。【解決手段】 本発明に係るガス反応装置では、リング状の第2電極20の内面にリング状の金属酸化物触媒層22が設けられており、回転羽根24の先端部には、触媒作用を有する金属層が形成された第1電極24Aが形成されている。プラズマ発生手段によって微小ギャップ28に発生したプラズマは、ファン26の回転によって、リング状とされ、プラズマと、改質されるべきガスとの接触確率が高められる。さらに、本発明では、金属酸化物触媒層22の表面上に均一に電荷が集中し、電荷が金属酸化物触媒層22表面に均一に集中して発生するので、プラズマは電極全面に発生することになる。したがって、微小ギャップ28にプラズマが飛躍的に大きく形成されるようになり、プラズマと、改質されるべきガスの接触確率は大幅に高くなる。

請求項（抜粋）：

先端部に第1電極が形成された少なくとも1枚の回転羽根を有するファンと、吸気口及び排気口を備え、かつ内面の周方向全体に沿って円筒状の第2電極が形成されると共に前記第1電極が前記第2電極に対して微小ギャップを有した状態に前記吸気口と排気口との間に前記ファンを収容するハウジングからなり、前記第1電極及び前記第2電極のいずれか一方には金属酸化物触媒層が形成され、該金属酸化物触媒層が形成されていない他方の電極には触媒作用を有する金属層が形成され、前記第1電極と第2電極との間には高周波を印加し前記微小ギャップにプラズマを発生させるプラズマ発生手段を備えてなることを特徴とするガス反応装置。

IPC (5件)：

B01J 19/08 ,  B01D 53/34 ,  B01D 53/86 ZAB ,  B01D 53/94 ,  B01J 23/46 311

FI (5件)：

B01J 19/08 E ,  B01J 23/46 311 A ,  B01D 53/34 Z ,  B01D 53/36 ZAB ,  B01D 53/36 103 B