特許

J-GLOBAL ID：200903034531375022

横型受光素子及びその形成方法

発明者： 村田 道夫
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-086345
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302843
出願日： 1993年04月13日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】 高感度で応答速度の速い横型受光素子を提供することを目的とする。【構成】 InP基板を適用する横型受光素子にあっては、InP基板上に、Ga(1-x) Inx As(但し、x>0.6)の結晶層とGa0.47In0.53Asの受光層とを積層させた構造を備えた。又、GaAs基板を適用する横型受光素子にあっては、GaAs基板上に、Ga(1-x) Inx As(但し、x>0.1)からなる結晶層とGaAsの受光層とを積層させた構造を備えた。

請求項（抜粋）：

InP基板上に形成されたGa(1-x) Inx As(但し、x>0.6)からなる結晶層と、該結晶層上に形成されたGa0.47In0.53Asからなる受光層とを有することを特徴とする横型受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/108

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-216386
  
• 特開平4-287979