特許
J-GLOBAL ID：200903034533349096
Ib-IIIb-VIb2族化合物半導体層の形成方法、薄膜太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-214058
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044464
出願日： 1999年07月28日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】Na含有CuInS2 層を熱処理法でMo電極上に形成する際に剥離し難くする。熱処理法で形成されたNa含有CuInS2 層を光吸収層として有する薄膜太陽電池の変換効率を高くする。【解決手段】先ず、Mo電極層2上に、In薄膜3、Cu薄膜4、Na2 S薄膜5、InS薄膜6をこの順に成膜することにより、Cu-In-Na層7を形成する。次に、H2 Sガス雰囲気中で熱処理することにより、Na含有CuInS2 層8を形成する。CuInS2 層8の表面にNaInS2 相9が生じるが、太陽電池を形成する場合には、この上に溶液成長法でCdS層を形成することにより、NaInS2 相9を除去する。この方法によれば、Na2 S薄膜5をIn薄膜3の直上に成膜する従来例よりも、得られる太陽電池の変換効率が高くなり、CuInS2 層8の密着性も向上する。
請求項（抜粋）：
Ib族元素(Cuおよび/またはAg)とIIIb族元素(A1,Ga,およびInから選択された少なくとも一つの元素)とIa族元素(Li,Na,K,およびCsから選択された少なくとも一つの元素)とを少なくとも含む組成のIb-IIIb-Ia層を、Ib族元素からなる薄膜を成膜する工程と、IIIb族元素からなる薄膜を成膜する工程と、Ia族元素の化合物からなる薄膜を成膜する工程とを少なくとも有する方法で、導電性基板上に形成した後に、このIb-IIIb-Ia層を、VIb族元素(S,Se,およびTeから選択された少なくとも一つの元素)を含有する組成のガス雰囲気中で熱処理することにより、Ia族元素を含むIb-IIIb-VIb2 族化合物半導体層を導電性基板上に形成する方法において、前記Ib-IIIb-Ia層の形成工程で、Ia族元素の化合物からなる薄膜を、Ib族元素からなる薄膜の直上に成膜することを特徴とするIb-IIIb-VIb2 族化合物半導体層の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 E
, H01L 21/363
5F051AA10
, 5F051CB15
, 5F051CB27
, 5F051CB29
, 5F051FA06
, 5F051GA03
, 5F103AA08
, 5F103DD28
, 5F103DD30
, 5F103LL04
, 5F103NN04
, 5F103NN05
, 5F103PP03
, 5F103PP11
