特許
J-GLOBAL ID：200903034536090123
半導体パッケージ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加古 宗男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-366283
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188359
出願日： 1998年12月24日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：
【要約】【課題】 半導体パッケージの放熱性向上、高周波特性向上、スイッチングノイズ低減、パッケージ小型化を実現できるようにする。【解決手段】 グランド電位に保たれるグランドコア31の上下両面に絶縁層32,33を形成し、上側の絶縁層32に形成したキャビティ34内のグランドコア31の露出面に半導体チップ35を接合する。これにより、半導体チップ35で発生した熱が、該半導体チップ35の下面全面から直接、グランドコア31に伝達され、複数の放熱ビア48から効率良く放熱される。更に、半導体チップ35のグランド端子をグランドコア31の露出面にボンディングワイヤ40で接続する。これにより、半導体チップ35からグランドコア31までの配線長が最短となるため、グランド配線のインダクタンスが小さくなり、高周波特性が向上し、高速化に対応できると共に、スイッチングノイズも低減できる。
請求項（抜粋）：
絶縁層間に、グランド電位に保たれる金属コア(以下「グランドコア」という)を挟み込み、その下面側の絶縁層に、前記グランドコアからパッケージ下面に延びる放熱ビアを貫通形成し、前記グランドコアの上面側の絶縁層に、該グランドコアの上面の一部を露出させるキャビティを形成し、このキャビティ内のグランドコアの露出面に半導体チップを接合すると共に、該半導体チップのグランド端子と該グランドコアの露出面とをボンディングワイヤで接続したことを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (2件)：
H01L 23/12
, H01L 23/12 301
H01L 23/12 J
, H01L 23/12 301 J
, H01L 23/12 E
