特許
J-GLOBAL ID：200903034536395684
ドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-216769
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074148
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 枚葉式エッチング装置を用いて堆積性物質の側壁保護効果を利用しながら、シリコン系材料層の高信頼性エッチングを行う。【構成】 SRAMのSi基板1の埋め込みコンタクト部11に直接接続される第1のゲート電極G1 をエッチングする際に、有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置とCl2 /CH2 F2 /SF6 混合ガスを用い、オーバーエッチング時に基板に周波数2MHz、パワー5〜10WのRFバイアスを印加する。【効果】 CH2 F2 に由来する炭素系ポリマーの側壁保護効果により、第1のゲート電極G1 のエッジ10面上でノッチ発生が防止できる。上記バイアス印加条件によりイオン入射エネルギーを最適化し、炭素系ポリマーの過剰な堆積を抑制しているので、枚葉処理のロット後半でもエッチング速度と均一性の低下が防止できる。
請求項（抜粋）：
有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置を用いて基板上のシリコン系材料層をエッチングするドライエッチング方法において、前記エッチングを前記シリコン系材料層を実質的にその層厚分だけエッチングするジャストエッチング工程とその残余部をエッチングするオーバーエッチング工程とに分けて行い、少なくとも前記オーバーエッチング工程ではCl2 /CH2 F2 /SF6 混合ガスをエッチング・ガスとして用い、前記基板に周波数2MHz、パワー5〜10WのRFバイアスを印加しながらエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (6件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/28
, H01L 21/28 301
, H01L 21/768
, H01L 27/10 371
H01L 21/302 J
, H01L 21/90 D
