特許
J-GLOBAL ID：200903034541014206
シリコンのエッチング加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-312866
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153480
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：
【要約】【課題】 シリコン基板に電極を接続することなくp型シリコン層のエッチングを行ってn型シリコン層上にセンシング層が形成でき、かつ、量産性に富んだシリコンのエッチング加工方法を提供する。【解決手段】 p型シリコン基板1の表面にn型シリコン層2をエピタキシャル成長により形成し、n型シリコン層2上にp型シリコン層31a,n型シリコン層31b,p型シリコン層31a,n型シリコン層31bの順番で4層を積層させて、4層から成る光起電力層31をエピタキシャル成長により形成する。次に、光起電力層31の最上位層であるn型シリコン層31bの上面に、ボロンを選択的に熱拡散させて拡散抵抗4a及びコンタクト層4bから成るセンシング層4を形成し、コンタクト層4bの端部にアルミニウムを堆積,パターンニングして電極5を形成する。そして、窒化シリコン膜でマスキングをした後、アルカリ水溶液に浸漬して、光起電力層31側から光を照射させながらエッチングを行う。
請求項（抜粋）：
p型シリコン層とn型シリコン層とのpn接合を有するシリコン基板をエッチングにより加工するシリコンのエッチング加工方法において、前記シリコン基板のn型シリコン層上に、前記シリコン基板側がプラス側となるようにした単層または複層の光起電力層を形成し、該光起電力層に光を照射するとともに、アルカリ水溶液中でエッチングを行うことにより、前記p型シリコン層のみを選択的にエッチングするようにしたことを特徴とするシリコンのエッチング加工方法。
IPC (7件)：
H01L 21/3063
, C25F 3/12
, G01L 9/04
, G01P 15/00
, H01L 21/306
, H01L 29/84
, H01L 31/10
H01L 21/306 L
, C25F 3/12
, G01L 9/04
, G01P 15/00
, H01L 29/84 B
, H01L 21/306
, H01L 31/10 A
