特許

J-GLOBAL ID：200903034555393366

半導体装置およびその製造方法

発明者： 知野 豊治 ,  松田 賢一 ,  柴田 淳
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-225707
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063098
出願日： 1991年09月05日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】 エッチングマスクを配線金属として用いながら、ドライエッチング時のサイドエッチ量を制御することで配線パターン直下の半導体をエッチングして簡便にエアブリッジを形成し素子間を配線する。【構成】 n-InP基板1上にフォトトランジスタのエミッタとなるn-InP2、ベースとなるp-InGaAsP3、コレクタとなるn-InP4をこの順に結晶成長させた基板にSiN膜を堆積した後、素子が形成される領域のSiN膜を所定の形状に加工する。その後、AuZnからなるアノードを形成し、Ti7を電子ビーム蒸着法で所定の厚さで蒸着する。このTi7が素子間の配線となる。深さ方向だけでなく、深さ方向と垂直な方向、つまり側壁をもエッチング(サイドエッチ)するので、エッチング後エアブリッジが残る。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に複数の素子が形成されており、前記素子を素子の間はドライエッチングにより形成した溝によって互いに電気的に分離され、前記素子間は前記溝の上に形成したエアブリッジにより接続されていることをとする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/76 ,  H01L 31/10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭51-110287
  
• 特開昭54-066091
  
• 特開昭63-249354