特許
J-GLOBAL ID：200903034559940086

SiOx材料をプラズマエッチングするための方法および集積回路内の層間の金属接続部を生成するための方法

発明者：
サバッシュ・グプタ

サバッシュ・グプタ について

, 
スーザン・エイチ・チェン

スーザン・エイチ・チェン について


出願人/特許権者：
アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド

アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-149242
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151385
出願日： 1993年06月21日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 CHF3 、N2 および質量の軽い冷却ガスを用いての改良されたSiOx エッチング方法を提供する。【構成】 密閉されたプラズマ反応装置内で、全圧が3000mTorrのオーダにある状態でSiOx 材料をエッチングする。少なくとも10:1の高いアスペクト比を得ることができる。
請求項（抜粋）：
(a)近接して対向配置された2つの平板の電極間の密閉された領域において、反応性ガスの流れを前記密閉された領域に与え、かつ400KHzのオーダの周波数で高周波電力を前記電極に与えることによって、真空の容器内にプラズマを確立するステップと、(b)エッチングされるべきSiOx 材料を前記電極の1つに固定するステップとを含むSiOx 材料をプラズマエッチングする方法であって、改良点は1.前記反応性ガスがCHF3 を含み、2.非弾性衝突によって前記プラズマを冷却するステップと、3.前記ガスの流れを選択し、10.0Torr>p>1.5Torrとなるチャンバの全圧力p.を得るステップとを含む、方法。
IPC (4件)：
H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/90
引用特許：
審査官引用 (21件)
  • 特開平4-162721
  • 特開平4-162721
  • 特開昭63-272038
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