特許
J-GLOBAL ID:200903034563923021

半導体集積回路装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-007180
公開番号(公開出願番号):特開平5-198742
出願日: 1992年01月20日
公開日(公表日): 1993年08月06日
要約:
【要約】【目的】半導体集積回路装置における回路動作時の電源線の電圧変動を抑えるためのバイパスコンデンサを半導体チップ内に形成して回路の誤動作を防止する効果を高める。【構成】MOS型トランジスタアレイ方式の半導体集積回路チップ内の未使用セルのPチャネル側のゲート電極3aをGND線14に接続し、ソース・ドレイン用拡散層4をVDD線13と接続し、Nチャネル側のゲート電極3bをVDD線13に接続し、ソース・ドレイン用拡散層11をGND線14に接続してバイパスコンデンサを構成する。
請求項(抜粋):
MOS型トランジスタアレイを有する半導体集積回路装置において、前記トランジスタアレイの未使用セルをMOSコンデンサとして電源配線とGND配線との間に接続したことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件):
H01L 27/04 ,  H01L 21/82

前のページに戻る