特許

J-GLOBAL ID：200903034568602878

ヒートシンク付半導体装置およびその製造方法

発明者： 堀 哲二 ,  カオ・ミン・タイ
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-058749
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260918
出願日： 1999年03月05日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 耐久性に優れ、かつ高熱を発するパワー系半導体素子の搭載にも十分に耐えることができる構造を持つヒートシンク付半導体装置を提供すること。【解決手段】 ヒートシンク1上に形成された積層絶縁膜2と、積層絶縁膜2上に接続されたリードフレーム3と、リードフレーム3上に実装された半導体チップ4と、半導体チップ4を封止するモールド樹脂6とを具備する。そして、積層絶縁膜2は、ヒートシンク1側に形成され、放熱性フィラー7を80重量%の割合で含有したエポキシ樹脂を含む第1層絶縁性樹脂層2-1と、リードフレーム3側に形成され、放熱性フィラー7を70重量%で含有したエポキシ樹脂を含む第2層絶縁性樹脂層2-2を含むことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

ヒートシンクと、前記ヒートシンク上に形成された積層絶縁膜と、前記積層絶縁膜上に接続されたリードフレームと、前記リードフレーム上に実装された電子部品と、前記リードフレームのアウターリード部および前記ヒートシンクの放熱面を外界に露出させた状態で、前記電子部品を封止する封止体とを具備し、前記積層絶縁膜は、少なくとも前記ヒートシンク側に形成され、放熱性フィラーを含有した絶縁性母材を含む第1の層と、前記リードフレーム側に形成され、前記放熱性フィラーを含有した前記絶縁性母材を含む第2の層とを含むことを特徴とするヒートシンク付半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/40 ,  H01L 23/373

FI (2件)：

H01L 23/40 F ,  H01L 23/36 M

Fターム (6件)：

5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BB08 ,  5F036BB21 ,  5F036BC22 ,  5F036BE01