特許

J-GLOBAL ID：200903034570065693

非揮発性メモリをプログラムする方法

発明者： チョイ・ウン・リム
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-048526
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065114
出願日： 1997年02月18日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、単一レベル又はマルチレベルのプログラム中にしきい値レベルの同時照合の可能な非揮発性メモリをプログラムする方法を提供すること。【解決手段】 非揮発性メモリセルに少なくとも2つのしきい値レベルをプログラムする際、チャンネル領域を初期にターンオフし、プログラムのための電荷キャリヤがフローティングゲートからドレインに伝送されるようにコントロールゲートには各しきい値レベルのプログラム毎に相応して変化する第1電圧を、前記ドレインとソースにそれぞれ第2電圧と第3電圧を印加するステップと、非揮発性メモリセルの前記各しきい値レベルへのプログラム中にチャンネル領域の導電度をモニタリングするステップと、そのモニタリングされた導電度が基準値に達したとき各しきい値レベルへのプログラムを中止する。

請求項（抜粋）：

コントロールゲート、フローティングゲート、ドレイン、ソース、及び前記ドレインと前記ソースとの間に位置するチャンネル領域を備える非揮発性メモリセルに、少なくとも2つのしきい値レベルをプログラムするとき、前記チャンネル領域を当初ターンオフし、プログラムのための電荷キャリヤが前記フローティングゲートからドレインに伝送されるようにコントロールゲートには各しきい値レベルのプログラム毎に相応して変化する第1電圧を、前記ドレインとソースにそれぞれ第2電圧と第3電圧を印加するステップと、前記非揮発性メモリセルの前記各しきい値レベルのプログラム中にチャンネル領域の導電度をモニタリングするステップと、そのモニタリングされた導電度が基準値に達するときプログラムが中止されるように第1電圧と第2電圧、及び第3電圧の中の少なくともいずれか1つの印加を中断するステップと、を備えることを特徴とする非揮発性メモリをプログラムする方法。