半導体デバイスの検査方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-345522
公開番号（公開出願番号）：特開2002-195959
出願日： 1991年07月12日
公開日（公表日）： 2002年07月10日
要約：

【要約】【課題】基板上の異物を検査する方法において、特に基板からの散乱光ノイズを低減して微小な異物を検出する。【解決手段】照明光学系の入射角度を小さくし、検出分解能の高い検出光学系および検出画素の小さい検出器により検出領域を充分に小さくするようにした。照明光学系の入射角度を大きくすることにより、光が回折する際の位相差を小さくできるので、基板からの散乱光を低減できる。また、これにより、鏡面ウエハ上に付着した微粒子(微小な異物)の検出が可能になる。

請求項（抜粋）：

鏡面ウエハ表面に対して、高出力(50mW-5W)で、400nm-180nmの短い波長のレーザ光を、垂直方向から60±15度の角度を有する斜め方向から照射し、結像レンズを通して、鏡面ウエハ表面の凹凸によって生じる反射散乱光に対して、鏡面ウエハ上に存在する少なくとも微粒子からの反射散乱光を回折現象により強調させて光電検出器で受光して電気信号により微粒子を検出することを特徴とする鏡面ウエハの異物検出方法。

IPC (3件)：

G01N 21/956 , G01B 11/30 , H01L 21/66

FI (3件)：

G01N 21/956 A , G01B 11/30 Z , H01L 21/66 J

Fターム (38件)：

2F065AA49 , 2F065BB25 , 2F065CC19 , 2F065DD03 , 2F065FF01 , 2F065FF41 , 2F065FF48 , 2F065GG05 , 2F065GG06 , 2F065GG12 , 2F065GG22 , 2F065HH04 , 2F065HH12 , 2F065HH14 , 2F065JJ02 , 2F065JJ03 , 2F065JJ17 , 2F065JJ25 , 2F065JJ26 , 2F065KK01 , 2F065LL08 , 2F065LL12 , 2F065MM03 , 2F065QQ08 , 2G051AA51 , 2G051AB01 , 2G051BA05 , 2G051BA10 , 2G051BB02 , 2G051CA03 , 2G051CB05 , 4M106AA01 , 4M106BA05 , 4M106CA41 , 4M106CB30 , 4M106DB02 , 4M106DB08 , 4M106DB18

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭60-218845
特開平3-148049
特開平1-187409

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