特許

J-GLOBAL ID：200903034574512252

シリコン半導体およびシリコン酸化物の洗浄液

発明者： 佐近 正 ,  上村 賢一 ,  森 良弘 ,  島ノ江 憲剛 ,  大塚 進 ,  宗平 修司
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
代理人 (1件)： 井上 雅生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-283845
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115077
出願日： 1993年10月19日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】 本願は、シリコン半導体およびシリコン酸化物の高精度洗浄を達成する洗浄液を提供する。【構成】 表面不純物金属および付着微粒子数を著しく低減し、かつ表面の親水性を維持して表面の不安定化を防止できるシリコン半導体およびシリコン酸化物用の洗浄液であって、0.005%以上〜0.05重量%未満のフッ化水素および0.3%以上〜20.0重量%以下の過酸化水素を含むpHが1以上5未満の酸性水溶液である。

請求項（抜粋）：

0.005重量%以上〜0.05重量%未満のフッ化水素および0.3重量%以上〜20.0重量%以下の過酸化水素を含むpHが1以上5未満の酸性水溶液であることを特徴とするシリコン半導体およびシリコン酸化物の洗浄液。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 ,  C11D 7/08 ,  C11D 7/18 ,  H01L 21/308