特許

J-GLOBAL ID：200903034576927638

薄膜トランジスタの製造方法と液晶表示装置用アクティブマトリックスアレイ

発明者： 古田 守 ,  小林 郁典
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-201617
公開番号（公開出願番号）：特開平10-051000
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】 従来のLDD作製プロセスでは工程が複雑であり作製コストが増大する。【解決手段】 多結晶シリコンを活性層に用いた薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜として下層に酸化シリコン、上層に第二の絶縁膜を有する2層ゲート絶縁膜を有し、前記第二のゲート絶縁膜を薄膜トランジスタのソースおよびドレイン領域とチャネル領域の間に形成される低濃度不純物領域(LDD領域)上を被覆した状態で不純物注入を行い、前記不純物注入後、低濃度不純物注入領域上の酸化タンタル薄膜を除去する工程を少なくとも有する。

請求項（抜粋）：

多結晶シリコンを活性層に用いた薄膜トランジスタにて、ゲート絶縁膜として下層に酸化シリコン、上層に第二の絶縁膜を有する2層ゲート絶縁膜を有し、前記第二のゲート絶縁膜を薄膜トランジスタのソースおよびドレイン領域とチャネル領域の間に形成される低濃度不純物領域(LDD領域)上を被覆した状態で不純物注入を行い、前記不純物注入後、低濃度不純物注入領域上の第二の絶縁膜のみを除去した後、層間絶縁膜を形成する工程を少なくとも有する薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 612 B ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 U