特許

J-GLOBAL ID：200903034583161950

半導体受光素子およびその製造方法

発明者： 宝川 幸司 ,  植松 芳彦
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-302246
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151946
出願日： 1992年11月12日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 電極による光照射面の遮蔽や電極の光照射部分の電極抵抗増加を原因とした光電気信号の変換効率の劣化が防止された、簡単な製造技術と簡単な実装技術のもとで構成可能な半導体受光素子を提供する。【構成】 第1の基板上に特定の溶液に対して極めて高速なエッチングレートを有するリフトオフ用のエッチング層をエピタキシャル成長させ、その上にデバイス搭載用の半導体薄膜をエピタキシャル成長させ、該半導体薄膜の表面に電極を形成してショットキー接合を形成させ、その後に前記特定の溶液により前記エッチング層をエッチングし、前記ショットキー接合を有する半導体薄膜を前記第1の基板から剥離し、該半導体薄膜を、予め他のデバイスが搭載された第2の基板上に、前記電極が該第2の基板と接触するように、接着する。

請求項（抜粋）：

基板上に接合形成用の対抗形対電極とこの対電極に連続する取り出し電極が設置され、前記対抗形対電極に接触するように結晶あるいは多結晶よりなる半導体薄膜が形成され、これにより前記対抗形対電極と前記半導体薄膜との間にショットキー接合が形成されてなり、前記半導体薄膜の対抗形対電極と接していない裏面方向より光信号を受光させ、それに伴う電流を出力信号として前記取り出し電極から得ることを特徴とする半導体受光素子。