特許

J-GLOBAL ID：200903034588454859

半導体メモリ

発明者： 松村 哲哉 ,  吉本 雅彦 ,  岡田 圭介
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-215119
公開番号（公開出願番号）：特開平6-060641
出願日： 1992年08月12日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【構成】 データプリセット機能を有するDRAMが開示される。1つのメモリセル10aは、プリセットデータをプログラムするために選択的に形成され得る接続子(コンタクトホールまたはスルホールより形成される)16,17,18を含む。たとえば、プリセットデータ「0」がプログラムされるとき、接続子16および18が形成され、接続子17は形成されない。高レベルのデータプリチャージ信号DPが与えられたとき、トランジスタ15がオンするので、データ記憶キャパシタ14が放電される。言換えると、予め定められたデータがキャパシタ14に書込まれる。【効果】 データプリセット機能を有するDRAMが提供された。

請求項（抜粋）：

行および列に配列された複数のメモリセルを備えたメモリセルアレイと、各々が前記メモリセルアレイ内の対応する1つの行内に設けられ、前記対応する1つの行内のメモリセルに接続された複数のワード線と、各々が前記メモリセル内の対応する1つの列内に設けられ、前記対応する1つの列内のメモリセルに接続された複数のビット線とを含み、各前記メモリセルは、データ信号をストアするためのキャパシタと、対応するビット線と前記キャパシタとの間に接続され、対応するワード線上の信号に応答して動作されるスイッチング手段と、外部から与えられるプリセット要求信号に応答して、予め定められたデータ信号を前記キャパシタに供給する予め定められたデータ供給手段とを備える、半導体メモリ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特公昭57-021796
  
• 特公昭53-011335
  
• 特開平4-192175
  
• 特開平3-030184