特許
J-GLOBAL ID：200903034588672635
半導体集積回路装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-288051
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148592
出願日： 1994年11月22日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 半導体チップサイズを制限することなく、フリップチップ接続によってパッケージに半導体チップを搭載する。【構成】 ベース3の主面上に半田バンプ2を介してフリップチップ接続された半導体チップ1をキャップ4で封止したLSIパッケージにおいて、キャップ4を半導体チップ1と熱膨張係数がほぼ等しい材料で構成すると共に、封止材5によるキャップ4とベースの接合強度、および接着材6による半導体チップ1とキャップ4の接合強度を、半田バンプ2による半導体チップ1とべース4の接合強度よりも大きくすることにより、温度変化が起きても半導体チップ1、ベース3およびキャップ4が一体化して、パッケージ全体がバイメタルの様に変形するので、半田バンプ2に生じる歪みが抑制される。
請求項（抜粋）：
半導体チップがパッケージのベースの主面上にバンプ電極を介してフリップチップ接続され、前記半導体チップを封止するキャップが前記ベースの主面上に封止材を介して固着され、さらに、前記半導体チップの裏面と前記キャップとが接着材によって固着されることによりパッケージが構成されている半導体集積回路装置であって、前記キャップを前記半導体チップと熱膨張係数がほぼ等しい材料で構成すると共に、前記封止材による前記キャップと前記ベースの接合強度、および前記接着材による前記半導体チップと前記キャップの接合強度を、前記バンプ電極による前記半導体チップと前記べースの接合強度よりも大きくしたことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (3件)：
H01L 23/02
, H01L 21/60 311
, H01L 23/04
