特許
J-GLOBAL ID：200903034589268544
半導体装置のコンタクトホール形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-311539
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163482
出願日： 1992年11月20日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【構成】 基板11上にSiO2 膜12を成膜し、SiO2 膜12上にレジスト13を塗布してレジスト13に全面露光及びマスク露光を施し、現像してレジストパターン13aを形成した後に、SiO2 膜12にCF4 、CHF3 およびHeの混合ガスを用いて異方性を有する反応性イオンエッチング処理を施すことを特徴とする半導体装置のコンタクトホール形成方法。【効果】 フォトリソグラフィ工程において全面露光とマスク露光とを組み合わせることにより、レジストパターン13aに制御性、再現性の良いテーパ角を付けることができる。また、エッチング工程において異方性を有する反応性エッチング処理を施すことにより、ホール側壁に荒れがなく、ホール径の制御性及び再現性に優れ、しかも段差被覆性に優れた小さなテーパ角を有するコンタクトホール15を形成することができる。このため、コンタクトホール15部での配線の断線や埋め込み不良による導通不良を防止することができる。
請求項（抜粋）：
基板上にSiO2 膜を成膜し、該SiO2 膜上にレジストを塗布して該レジストに全面露光及びマスク露光を施し、現像してレジストパターンを形成した後に、前記SiO2 膜にCF4 、CHF3 およびHeの混合ガスを用いて異方性を有する反応性イオンエッチング処理を施すことを特徴とする半導体装置のコンタクトホール形成方法。
引用特許：
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