特許
J-GLOBAL ID:200903034593422949

高周波ICソケット、半導体試験装置および半導体試験方法ならびに半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 沼形 義彰 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-240228
公開番号(公開出願番号):特開2003-050262
出願日: 2001年08月08日
公開日(公表日): 2003年02月21日
要約:
【要約】【課題】 スタブ長を低減したICソケットを提供する。【解決手段】 被試験IC50の入出力端子に接触する複数のコンタクトピン30が先端部を残して基板20に埋め込まれ、半導体試験装置60のDUTボードと被試験IC50とを電気的導通を生じるように接続するためのICソケット1において、前記コンタクトピン30が埋め込まれる基板20に2つ以上の信号配線層S1,S2と2つ以上の電源配線層Vdd,Gを設け、半導体試験装置60のドライバ61またはコンパレータ62に接続する信号配線23a,23bの一方を被試験IC50に近い信号配線層S1を使ってコンタクトピン30に接続し、信号配線の他方を被試験IC50から遠い信号配線層S3を使ってコンタクトピン30に接続した。
請求項(抜粋):
被試験ICの入出力端子に接触する複数のコンタクトピンが先端部を残して基板に埋め込まれ、半導体試験装置のDUTボードと被試験ICとを電気的導通を生じるように接続するためのICソケットにおいて、前記コンタクトピンが埋め込まれる基板に2つ以上の信号配線層と2つ以上の電源配線層を設け、半導体試験装置のドライバまたはコンパレータに接続する信号配線の一方を被試験ICに近い信号配線層を使ってコンタクトピンに接続したことを特徴とするICソケット。
IPC (3件):
G01R 31/28 ,  G01R 31/26 ,  H01R 33/76 501
FI (3件):
G01R 31/26 J ,  H01R 33/76 501 A ,  G01R 31/28 K
Fターム (16件):
2G003AA07 ,  2G003AE03 ,  2G003AG01 ,  2G003AG08 ,  2G003AG12 ,  2G003AG16 ,  2G003AH02 ,  2G003AH05 ,  2G003AH09 ,  2G132AF02 ,  2G132AJ01 ,  2G132AL03 ,  2G132AL11 ,  2G132AL19 ,  2G132AL20 ,  5E024CA03

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