特許
J-GLOBAL ID:200903034596253978
半導体装置及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-252448
公開番号(公開出願番号):特開平11-097683
出願日: 1997年09月17日
公開日(公表日): 1999年04月09日
要約:
【要約】【課題】 ゲート絶縁膜等の信頼性を高めて、素子の信頼性や特性の向上をはかる。【解決手段】 半導体基板1表面にハロゲン元素を含有したゲート絶縁膜3を介して形成されたゲート電極4と、ゲート電極4の両端部に対応して形成されたソース・ドレイン拡散領域7a、7bとを少なくとも有し、ゲート絶縁膜3の半導体基板1との界面近傍及びゲート電極4との界面近傍のハロゲン元素の濃度が、ゲート絶縁膜の膜厚方向中央部近傍のハロゲン元素の濃度と同等又はそれ以上となっている。
請求項(抜粋):
半導体上にハロゲン元素を含有した絶縁膜を介して形成された電極と、この電極の両端部に対応して形成された不純物拡散領域とを少なくとも有し、前記絶縁膜の前記半導体との界面近傍及び前記電極との界面近傍のハロゲン元素の濃度が該絶縁膜の膜厚方向中央部近傍のハロゲン元素の濃度と同等又はそれ以上であることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件):
H01L 29/78
, H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
FI (3件):
H01L 29/78 301 G
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
引用特許: