特許
J-GLOBAL ID：200903034599763578
多層配線構造の半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-279493
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112327
出願日： 1992年09月24日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 同一のコンタクトホール位置で導電層相互をそれぞれ独立に接続することが可能であり、集積回路のレイアウト設計の自由度を増大させ、高集積化が可能な多層配線構造の半導体装置およびその製造方法を提供すること。【構成】 半導体基板2上に、少なくとも二以上の導電層16a,16b,16cが層間絶縁層14a,14b,14cを介して積層してある多層配線構造の半導体装置10において、導電層および層間絶縁層に形成してある同一のコンタクトホール18内に、二以上の導電層を接続する導電性サイドウォール20と、この導電性サイドウォール20を導電性プラグ24に対して絶縁する絶縁性サイドウォール22とが形成してある。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、少なくとも二以上の導電層が層間絶縁層を介して積層してある多層配線構造の半導体装置において、上記導電層および層間絶縁層に形成してある同一のコンタクトホール内に、二以上の導電層を接続する導電性サイドウォールと、この導電性サイドウォールを導電性プラグに対して絶縁する絶縁性サイドウォールとが形成してある多層配線構造の半導体装置。
IPC (2件)：
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