特許

J-GLOBAL ID：200903034603963234

化学反応の制御方法

発明者： 若山 信子 ,  竹尾 陽敏
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 工業技術院物質工学工業技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-167834
公開番号（公開出願番号）：特開平6-192132
出願日： 1991年06月12日
公開日（公表日）： 1994年07月12日
要約：

【要約】【目的】 化学反応の前後で磁化率が変化する化学反応を、勾配磁場をかけることにより制御する。【構成】 反応の進行につれて反応系の磁化率が増加または減少する化学反応を勾配磁場をかけながら行なって該化学反応を促進または抑制する。【効果】 反応が進行すると磁化率が増加する化学反応では、反応の進行につれて磁場強度が増加する正の勾配磁場をかけると反応を促進することができ、反対に磁場強度が低下する負の勾配磁場をかけることにより反応を抑制することが可能である。一方、反応が進行すると磁化率が減少する化学反応では正の磁場勾配をかけることにより反応を抑制することが可能となり、負の勾配磁場をかけることにより反応を促進することが可能となる。

請求項（抜粋）：

反応の進行につれて反応系の磁化率が増加または減少する化学反応を勾配磁場をかけながら行なって該化学反応を促進または抑制することを特徴とする化学反応の制御方法。

IPC (2件)：

C07B 61/00 ,  B01J 19/08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-289047
  
• 特開昭50-057072
  
• 特公昭48-004716