特許
J-GLOBAL ID：200903034608584088

フッ化デンドロンおよび自己組織化超高密度ナノシリンダ組成物

発明者：
バージル パーセック

バージル パーセック について


出願人/特許権者：
ザ・トラスティーズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ペンシルバニア

ザ・トラスティーズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ペンシルバニア について


代理人 (1件)： 市之瀬 宮夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-537925
公開番号（公開出願番号）：特表2005-539077
出願日： 2003年09月17日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
本発明は、新規のフッ化デンドロンおよび核に高電子移動度または正孔移動度のドナー(D)、アクセプター(A)、またはD-A錯体のp-スタックを含む超分子ナノシリンダ組成物に自己組立するようプログラムされた、機能化フッ化デンドロンを生成する方法に関する。このようなナノシリンダ組成物は、ほかに類を見ない高電荷キャリア移動度を有し、合成および取り扱いが比較的簡単で、液晶を利用した光電子素子に関する用途のほかにトランジスタ、光電池、光伝導体、光屈折、光放射、および光電子などの素子において非常に有用である。
請求項（抜粋）：
化学式Iの化合物
IPC (4件)：
C07C69/92 ,  B82B1/00 ,  C07C205/55 ,  C07D209/86
FI (4件)：
C07C69/92 ,  B82B1/00 ,  C07C205/55 ,  C07D209/86
Fターム (17件)：
4C204BB05 ,  4C204CB25 ,  4C204DB07 ,  4C204EB01 ,  4C204FB17 ,  4C204GB01 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB78 ,  4H006BJ30 ,  4H006BJ50 ,  4H006BM10 ,  4H006BM71 ,  4H006BP10 ,  4H006BP30 ,  4H006KC14 ,  4H006KC30
引用特許：
出願人引用 (8件)
  • アメリカ特許No. 5,731,095号明細書
  • アメリカ特許No. 5,872,255号明細書
  • アメリカ特許No. 5,886,110号明細書
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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