特許

J-GLOBAL ID：200903034608928348

剥離剤組成物

発明者： 一木 直樹
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-370694
公開番号（公開出願番号）：特開2001-183850
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】半導体素子の製造工程において、半導体素子を構成する絶縁膜や金属膜等の材料に対する腐食性が極めて低く、かつ半導体素子の処理の際に生じる残留物やフォトレジストを好適に除去する剥離剤組成物を提供する。【解決手段】下記一般式(I)・・・・・(I)(式中、R1およびR2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、カルボキシル基または置換されていてもよいアルキル基である。Zは、酸素原子(O)または硫黄原子(S)である)で示される環状尿素化合物を、1〜90重量%となるように水および/または水溶性有機溶剤に加えてなる剥離剤組成物。〔2〕半導体素子の製造工程において、〔1〕の剥離剤組成物を用いて、半導体処理の際に生じる残留物を除去することを特徴とする半導体素子の残留物の除去方法。

請求項（抜粋）：

下記一般式(I)・・・・・(I)(式中、R1およびR2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、カルボキシル基または置換されていてもよいアルキル基である。Zは、酸素原子(O)または硫黄原子(S)である)で示される環状尿素化合物を、1〜90重量%となるように加えてなる剥離剤組成物。

IPC (2件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B

Fターム (7件)：

2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096HA23 ,  2H096LA03 ,  5F046MA02 ,  5F046MA12 ,  5F046MA18