圧電素子及びその製造方法、並びに圧電素子を備えたインクジエツトヘツド及びインクジエツト式記録装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-384312
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188432
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】高い圧電定数(d31)を有し、圧電特性の再現性が良好で、ばらつきが小さく、信頼性の高い圧電素子とその製造方法を提供すること。【解決手段】基板1上に酸化性金属からなる密着層2を設け、その密着層上に非酸化性金属からなる第1の電極層3を設け、その第1の電極層上に島状に分布した前記密着層の元素の酸化物からなるシ-ド5を設け、そのシ-ドを形成した第1の電極上に酸化物からなる配向制御層6を設け、その配向制御層上に酸化物からなる圧電体層7を設け、その圧電体層上に第2の電極層8を設ける。

請求項（抜粋）：

基板上に酸化性金属からなる密着層を設け、その密着層上に非酸化性金属からなる第1の電極層を設け、その第1の電極層上に島状に分布した前記密着層の元素の酸化物からなるシ-ドを設け、そのシ-ドを形成した第1の電極層上に酸化物からなる配向制御層を設け、その配向制御層上に酸化物からなる圧電体層を設け、その圧電体層上に第2の電極層を設けた圧電素子。

IPC (7件)：

H01L 41/09 , B41J 2/045 , B41J 2/055 , B41J 2/16 , H01L 41/08 , H01L 41/18 , H01L 41/22

FI (7件)：

H01L 41/08 C , H01L 41/08 D , B41J 3/04 103 A , B41J 3/04 103 H , H01L 41/18 101 Z , H01L 41/22 Z , H01L 41/08 L

Fターム (8件)：

2C057AF93 , 2C057AG42 , 2C057AG44 , 2C057AP14 , 2C057AP52 , 2C057AP56 , 2C057BA04 , 2C057BA14

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