特許
J-GLOBAL ID：200903034610979634
半導体製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-125263
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314756
出願日： 1993年04月27日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：
【要約】【目的】 高周波特性に優れた半導体装置を安価に得ることができる半導体製造方法を提供する。【構成】 ダイパッド3上に搭載された半導体チップ1の上面に、モールド樹脂8よりも膨張率が大きく且つ半導体チップ1に対する密着性よりもモールド樹脂8に対する密着性に優れた耐熱性樹脂7を塗布した状態で、成形金型5のキャビティ6内に半導体チップ1を配置する。次に、成形金型5のキャビティ6内に加熱溶融したモールド樹脂8を圧入して、耐熱性樹脂7を膨張させるとともに、圧入したモールド樹脂8を硬化させて所定形状の半導体パッケージ9を形成する。続いて、半導体パッケージ9を所定の温度以下に冷却して、先に膨張させた耐熱性樹脂7を収縮させるとともに半導体チップ1の上面から耐熱性樹脂7を剥離させて、半導体チップ1の上面と耐熱性樹脂7との間に空隙10を形成する。
請求項（抜粋）：
リードフレームのダイパッド上に搭載された半導体チップの上面に、モールド樹脂よりも膨張率が大きく且つ前記半導体チップに対する密着性よりも前記モールド樹脂に対する密着性に優れた耐熱性樹脂を塗布した状態で、成形金型のキャビティ内に前記半導体チップを配置する工程と、前記成形金型のキャビティ内に加熱溶融したモールド樹脂を圧入して、前記耐熱性樹脂を膨張させるとともに、前記圧入したモールド樹脂を硬化させて所定形状の半導体パッケージを形成する工程と、前記所定形状に形成した半導体パッケージを所定の温度以下に冷却して、前記膨張させた耐熱性樹脂を収縮させるとともに前記半導体チップの上面から前記耐熱性樹脂を剥離させて、前記半導体チップの上面と前記耐熱性樹脂との間に空隙を形成する工程とからなることを特徴とする半導体製造方法。
IPC (3件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 21/56
