薄膜形成装置及びその動作方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：樺山亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-185353
公開番号（公開出願番号）：特開平6-033244
出願日： 1992年07月13日
公開日（公表日）： 1994年02月08日
要約：

【要約】【目的】良質な構造のカーボン,シリコン薄膜を形成可能な薄膜形成装置を提供する。【構成】本装置は、真空槽1と、真空槽内に配備され蒸気又は霧状の材料を基板100 に向けて噴射する材料供給部10と、材料供給部に対向して配備され基板を保持する対電極13と、基板加熱手段13' と、材料供給部と対電極の間に配備されるグリッド12と、グリッドと材料供給部の間に配備される熱電子発生用フィラメント11と、基板近傍に材料の分解反応に寄与する原子状水素等を放出する水素原子供給部15と、対電極、グリッド、フィラメントを囲むように配備され直径が可変な円筒状絶縁体50と、フィラメントに対しグリッドを正電位にする電位手段32と、真空槽内に所定の電位配分を実現する電源手段と、真空槽内と電源手段を電気的に連結する導電手段を備え、上記円筒50の直径を可変して円筒内のプラズマの電子エネルギー分布を調整し材料の選択的な分解反応を可能にする。

請求項（抜粋）：

不活性ガスが導入される成膜用真空槽と、上記真空槽内に配備され、材料供給路を介して真空外から導入される蒸気又は霧状とした薄膜形成材料を方向性良く且つ均一に基板に向けて噴射することができる材料供給部と、上記真空槽内において、上記材料供給部と対向するように配備され被薄膜形成基板を保持する対電極と、上記被薄膜形成基板を加熱する手段と、上記真空槽内において、上記材料供給部と上記対電極の間に配備されるグリッドと、上記真空槽内において、上記グリッドと上記材料供給部の間に配備される熱電子発生用のフィラメントと、上記真空槽内に配備され、水素ガス及び微量の酸素ガスが外部より供給され、ノズル状を有する噴射孔から被薄膜形成基板近傍に薄膜形成材料の分解反応に寄与する原子状水素等を放出できるような水素原子供給部と、上記対電極、グリッド、フィラメントを取り囲むように配備され、直径Dが可変できる円筒状の絶縁体と、上記フィラメントに対し上記グリッドを正電位(以下、この電位差をグリッド電圧と呼ぶ)にする電位手段と、上記真空槽内に所定の電位配分を実現するための電源手段と、上記真空槽内と上記電源手段とを電気的に連結する導電手段とを有し、上記の円筒状の絶縁体の直径Dを可変することによって、円筒内に発生するプラズマ内の電子エネルギー分布を調整して、材料物質の選択的な分解反応を可能にした装置構成及び手段がとられたことを特徴とする薄膜形成装置。

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