特許

J-GLOBAL ID：200903034614890069

半導体装置

発明者： 野 口 充 宏
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-087725
公開番号（公開出願番号）：特開平9-252113
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 電子を捕獲したドナー不純物、正孔を捕獲したアクセプタ不純物、又は格子欠陥をスピン散乱不純物として用い電子波の位相緩和時間を制御し、更に、不純物および格子欠陥の位置及び数を定量的に明らかにして、位相干渉時間を制御する。【解決手段】 チャネル7からの距離rがr+dr[m]の範囲にある不純物までの体積密度をND (r)m-3、チャネル7中の電子の面密度をNs m-2とした場合に、が、チャネル7を電子が走行する時間よりも小さく、電子-電子散乱時間およびスピン-軌道相互作用によるキャリアの位相緩和時間よりも短く設定する。

請求項（抜粋）：

半導体で形成されたキャリア伝導路と、そのキャリア伝導路内もしくは近傍にあり、奇数価に帯電し、キャリア伝導路にキャリアを供給しうるドナーまたはアクセプタとなりうる不純物と、格子欠陥と、の少なくとも1つと、を有し、前記半導体キャリア伝導路領域からの距離がrからr+dr[m]までの範囲にある不純物もしくは格子欠陥の体積密度をND (r)〔m-3〕とし、前記キャリア伝導路中の電子の面密度をNs 〔m-2〕、前記キャリア伝導路を電子が走行する時間をτとしたときに、この時間τよりも【数1】が小さく、かつ【数2】が電子-電子散乱時間およびスピン-軌道相互作用によるキャリアの位相緩和時間よりも短くなるように設定されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/88

FI (6件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/88 S