特許

J-GLOBAL ID：200903034615259290

磁性薄膜メモリ素子およびその製造方法および製造装置

発明者： 西村 直樹
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-160892
公開番号（公開出願番号）：特開平11-353868
出願日： 1998年06月09日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 SN比を向上させるとともに動作マージンの拡大およびデータ保持の信頼性の良好な磁性薄膜メモリ素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 低い保磁力を有する第1磁性層と、高い保磁力を有する第2磁性層が、非磁性層を介して積層され、該第1磁性層の磁化の向きと該第2磁性層の磁化の向きの相対角度によって異なる抵抗値を示す磁気抵抗膜を有する磁性薄膜メモリ素子を、180(Oe)以上で450(Oe)以下の磁界を基板面内方向に印加しながら成膜して作成することを特徴とする磁性薄膜メモリ素子の製造方法の提供。

請求項（抜粋）：

低い保磁力を有する第1磁性層と、高い保磁力を有する第2磁性層が、非磁性層を介して積層され、該第1磁性層の磁化の向きと該第2磁性層の磁化の向きの相対角度によって異なる抵抗値を示す磁気抵抗膜を有する磁性薄膜メモリ素子を、180(Oe)以上で450(Oe)以下の磁界を基板面内方向に印加しながら成膜して作成することを特徴とする磁性薄膜メモリ素子の製造方法。

IPC (2件)：

G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (2件)：

G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z