特許

J-GLOBAL ID：200903034618237610

スイッチング素子およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法ならびに電気光学装置およびその製造方法ならびに固体撮像装置およびその製造方法

発明者： 久須本 典▲ひろ▼ ,  矢元 久良 ,  山中 英雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-178795
公開番号（公開出願番号）：特開2002-373898
出願日： 2001年06月13日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：

【要約】【課題】 トランジスタ間のスイッチング特性のばらつきが非常に少なく、回路基板上に配置したときにその占有面積を極めて小さくすることができ、電気絶縁性の高い基板を用いることにより高耐圧でしかもトランジスタ間の電気的干渉が非常に起こりにくいスイッチング素子を実現する。【解決手段】 段差を設けたガラス基板1上に非晶質シリコン薄膜を形成し、高圧水銀ランプ光を照射して段差をシードとするグラフォエピタキシャル成長を起こさせて多結晶または単結晶シリコン薄膜4を形成し、これを用いて多結晶または単結晶シリコンTFTQ1 〜Qn を形成する。これらのTFTQ1 〜Qn の閾値電圧は順次高くなるように設定し、共通のゲート電極8に鋸歯状波形のゲート電圧を印加してこれらのTFTを順次スイッチングする。

請求項（抜粋）：

基板の段差を有する主面上に形成された非晶質シリコン薄膜に少なくとも紫外域の波長の光を含むランプ光を照射して結晶化することにより形成され、かつ、所定形状にパターン化された複数の多結晶または単結晶のシリコン薄膜を有し、上記複数の多結晶または単結晶のシリコン薄膜のそれぞれに薄膜トランジスタが形成されていることを特徴とするスイッチング素子。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/146 ,  H01L 29/786

FI (9件)：

G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 618 F ,  H01L 29/78 614 ,  H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 27/14 C

Fターム (96件)：

2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA29 ,  2H092NA27 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA02 ,  4M118CA32 ,  4M118CA34 ,  4M118CB07 ,  4M118FB03 ,  4M118FB08 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  5F052AA02 ,  5F052AA24 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052FA14 ,  5F052FA15 ,  5F052JA01 ,  5F052JA08 ,  5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110AA11 ,  5F110AA17 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB10 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG55 ,  5F110GG57 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL06 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL27 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN78 ,  5F110PP02 ,  5F110PP27 ,  5F110PP40 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体薄膜およびその作製方法ならびに半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-336339   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタ、アクティブマトリクス基板、電気光学装置及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-141465   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-225605   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体薄膜の製造方法と製造装置、及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-140441   出願人：松下電器産業株式会社
• 固体撮像装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-071458   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, ティーディーケイ株式会社