特許

J-GLOBAL ID：200903034623809010

スパッタリング方法および装置

発明者： 米岡 雄二 ,  矢島 明 ,  島村 英昭 ,  岸本 里志 ,  小林 秀 ,  西原 晋治
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-089115
公開番号（公開出願番号）：特開平9-279337
出願日： 1996年04月11日
公開日（公表日）： 1997年10月28日
要約：

【要約】【課題】 直流スパッタ電源を用いたスパッタリング装置において、プラズマ着火時のアーク放電などによる突入電流の発生を防止し、この突入電流パルスのシールドや基板への衝撃によるパーティクルの発生を抑制する。【解決手段】 スパッタ電極6とスパッタ電源8との間にインピーダンス(抵抗)10を直列に接続し、プラズマ放電の開始時にターゲット(カソード)7に供給される電流を定常的な成膜時の電流以下に制御することにより、突入電流の発生を防止するようにしたスパッタリング装置である。

請求項（抜粋）：

高電圧が印加されたターゲットと基板との間の真空領域にプラズマ放電を形成して前記基板の表面に所望の薄膜を堆積するスパッタリング方法であって、前記プラズマ放電の開始時に前記ターゲットに供給する電流を定常的な成膜時の電流以下に制御することを特徴とするスパッタリング方法。

IPC (5件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

C23C 14/34 U ,  C23C 14/00 B ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H05H 1/46 A