SOI基板構造及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅野中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-318983
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163862
出願日： 1992年11月27日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】ゲッタリング効果を有するSOI基板において、埋込み酸化膜上にゲッタリング層を設けて貼り合わせ面の接着強度を大きくし、かつコストを低減する。【構成】単結晶シリコン基板4の表面に二酸化シリコン膜3が形成され、その上にリン高濃度拡散層2が存在し、さらにその表面上にデバイスが作製される単結晶シリコン層1が形成されている。これにより、ゲッタリング層の薄膜化や貼り合わせ熱処理によりゲッタリング効果が小さくなることが改善され、またエピタキシャル成長やIG処理等を施す必要がないために、コストの低減化が可能となる。

請求項（抜粋）：

二酸化シリコン膜と、貼合せ層と、単結晶シリコン層とを有するSOI基板構造であって、二酸化シリコン膜は、単結晶シリコン基板上の全面に設けられたものであり、貼合せ層は、リン高濃度拡散層又はイオン注入層又は格子不整合層であり、二酸化シリコン膜上に設けられたものであり、単結晶シリコン層は、中間層上に設けられたものであることを特徴とするSOI基板構造。

IPC (2件)：

H01L 27/12 , H01L 21/02

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-058873
特開昭57-133637
特開平2-191341

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