特許

J-GLOBAL ID：200903034636399709

半導体装置

発明者： 西村 善一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-316336
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172104
出願日： 1994年12月20日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：

【要約】【目的】 低雑音電界効果トランジスタにおいて,ゲート長が0.2μm以下であるときに雑音指数を最小にし,利得特性を最大にする。【構成】 化合物半導体基板上に形成されたゲート電極2とそれを囲む馬蹄型状をなすソース電極3と,ソース電極パス3 ́を跨いで一つのドレイン電極6に結合される空中配線5を有する半導体装置において,ゲート長(Lg)が0.2μm以下で,ゲートフィンガー1を4本有する素子パターンを備えている。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に形成された少なくとも2つのチャネルと,上記チャネル上に設けられたゲートフィンガーと,上記ゲートフィンガーを片側より結ぶゲート電極と,上記ゲートフィンガー及び上記ゲート電極をはさむ,ドレイン電極と対向する部分が切り欠かれた馬蹄型状をなすソース電極及び上記ソース電極を連結したソース電極パスと,上記ソース電極パスより上記ゲートフィンガーに挟まれた領域に一つおきに配置されたソースフィンガーと上記ゲートフィンガー及び上記ソースフィンガーによってはさまれたドレインフィンガーと,上記ドレインフィンガーから上記ゲート電極と反対方向に上記ソース電極パスを跨いで上記ドレイン電極に結合される空中配線とを有し,前記ゲートフィンガーのゲート長(Lg)が0.2μm以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778

FI (2件)：

H01L 29/80 L ,  H01L 29/80 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-007995   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-096339