特許
J-GLOBAL ID：200903034639912091
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-298941
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110718
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 一括封止部の反りを低減して組み立て性を向上する。【解決手段】 半導体チップ1を支持するテープ基板2と、半導体チップ1のパッドとテープ基板2の接続端子とを接続するワイヤ4と、半導体チップ1を樹脂封止し、かつテープ基板2のチップ支持面2aに形成される封止部と、テープ基板2の裏面2bに設けられた複数の半田ボールとからなり、複数のデバイス領域を一括して樹脂モールドする一括モールドを行った後、ダイシングして個片化するものであり、キャビティ形成面13aに凸部13cが設けられたモールド金型13を用いて一括モールドを行うことにより、一括モールド部8が形成される際にその表面に溝部8aが形成され、これにより、モールド樹脂14の硬化収縮時の一括モールド部8の表面の引っ張り応力を溝部8aによって緩和して樹脂硬化後の一括モールド部8の反りを低減する。
請求項（抜粋）：
樹脂封止形の半導体装置の製造方法であって、複数のデバイス領域を有するチップ支持基板を準備する工程と、前記デバイス領域に半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記チップ支持基板の電極とを導通部材によって接続する工程と、前記チップ支持基板のチップ支持面側において複数のデバイス領域を一括に覆うキャビティとこのキャビティを形成するキャビティ形成面に凸部とが設けられたモールド金型を用いて、前記キャビティによって前記複数のデバイス領域を一括に覆う工程と、前記キャビティによって前記複数のデバイス領域を一括に覆った状態で前記キャビティにモールド樹脂を供給して前記半導体チップを樹脂封止するとともに、前記凸部によって表面に溝部が形成された一括封止部を形成する工程と、前記デバイス領域単位に前記チップ支持基板および前記一括封止部を分割する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/56 T
, H01L 21/78 L
, H01L 21/78 Q
5F061AA01
, 5F061BA01
, 5F061BA03
, 5F061CA21
, 5F061DA01
