特許

J-GLOBAL ID：200903034644413834

半導体装置

発明者： 秋山 政由
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-123008
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326618
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】組立後の小型軽量化を実現できる半導体装置を提供する。【構成】(a)に示すように、ダイオード20の表面には、電極21及び22が形成されており、各々と電気的に導通する側面電極23及び24が形成されている。25は、樹脂等で形成された保護膜である。(b)は断面図である。セラミック基板26上にダイオードチップ27を載置して、バンプ28及び29を形成している。前記電極21及び22は、このバンプ28及び29に、それぞれ接続して形成されたものである。ダイオード20の周縁部は、(c)に示すように、正面及び背面は保護膜25とセラミック基板26となっており、また、側面は側面電極23、24に被覆されている。

請求項（抜粋）：

半導体チップと、前記半導体チップの電極部に形成されたバンプと、前記バンプを設けた前記半導体チップの表面を前記バンプが一部露出するように被覆する保護膜と、前記保護膜上に形成され前記バンプと電気的に導通するべく一部が前記バンプと接合した電極と、から成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/12