特許
J-GLOBAL ID：200903034645612164
半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-174121
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021892
出願日： 1991年07月15日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 InP基体を用いて短波長発光レーザを構成する。【構成】 InP基体上にクラッド層2,3と、活性層4とをエピタキシャル成長させ、そのクラッド層2,3をMgZnCdSe系のII-VI族化合物半導体によって構成する。
請求項（抜粋）：
InP基体上に、少くとものクラッド層と、活性層とがエピタキシャル成長されて成り、少くとも上記クラッド層がMgを含むII-VI族化合物半導体より成ることを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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