特許

J-GLOBAL ID：200903034646280017

半導体装置の製造方法

発明者： 鈴木 邦広
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-150583
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008310
出願日： 1995年06月16日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 MISトランジスタの製造方法に係り、特に、閾値電圧が高くなることなくパンチスルーを防止でき、熱工程による閾値電圧の変動が小さい半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体層に、第1の導電型を有する第1の不純物をドープする第1の不純物ドーピング工程と、第1の不純物がドープされた半導体層を熱処理し、半導体層中の第1の不純物の濃度をほぼ均一にする熱処理工程と、熱処理した半導体層に、第2の導電型を有する第2の不純物をドープする第2の不純物ドーピング工程と、第1の不純物及び第2の不純物がドープされた半導体層をチャネル領域とするMISトランジスタを形成するトランジスタ形成工程とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体層に、第1の導電型を有する第1の不純物をドープする第1の不純物ドーピング工程と、前記第1の不純物がドープされた前記半導体層を熱処理し、前記半導体層中の前記第1の不純物の濃度をほぼ均一にする熱処理工程と、熱処理した前記半導体層に、第2の導電型を有する第2の不純物をドープする第2の不純物ドーピング工程と、前記第1の不純物及び前記第2の不純物がドープされた前記半導体層をチャネル領域とするMISトランジスタを形成するトランジスタ形成工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 618 F ,  H01L 27/12 Z ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 P