特許

J-GLOBAL ID：200903034649013915

多層基板およびその製造方法

発明者： 関本 利一 ,  平島 一正 ,  高橋 達美 ,  新井田 英雄
出願人/特許権者： 株式会社エイト工業
代理人 (1件)： 橘 哲男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-105258
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045760
出願日： 1992年04月01日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】 スルーホールの精度を高めて実装密度を高めると共に製造時間の短縮が図れ、また、各導電パターン間に形成される絶縁層と導電パターンの密着度を高めて導電パターンの剥離を防止した多層基板およびその製造方法である。【構成】 導電パターンが形成されたコア材1上に絶縁層3を形成し、その上にスルーホールとなるピンホール4aを有する銅箔4を熱圧着した後、ピンホールにエキシマレーザを照射してスルーホール5を形成し、次いで、銅箔の上からメッキ層6を前記スルーホールにわたって形成し、さらに、前記銅箔をエッチングして導電パターン7を形成したものである。

請求項（抜粋）：

コア材の片面あるいは両面に形成された銅箔による導電パターンと、該銅箔の上面に塗布されたエキシマレーザによって溶解し得るポリイミド樹脂等による絶縁層と、該絶縁層の上面に熱溶着によって固定されたスルーホール用の孔が形成されている銅箔と、該銅箔の前記スルーホール用の小孔からエキシマレーザによって前記絶縁層に形成されたスルーホールと、前記銅箔の上面と前記スルーホールに化学銅メッキと電気メッキ等のメッキ手段によって形成されたメッキ層とからなる多層基板。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-133695
  
• 特開昭63-009194