特許
J-GLOBAL ID：200903034649384395
電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-328654
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166843
出願日： 1991年12月12日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】 ヘテロ接合を有する電界効果トランジスタのゲート・ドレイン間逆耐圧を高めるとともにソース抵抗を低減する。【構成】 ヘテロ接合を構成する多層成長層2と、多層成長層2上に設けられたゲート電極10と、このゲート電極10の両側に設けられたソース電極11とドレイン電極12を基板1上に有する。多層成長層2のうちソース電極11とゲート電極10との間の領域(高濃度注入領域)13に、この多層成長層2の残りの領域よりも高濃度の不純物がイオン注入されている。
請求項（抜粋）：
ヘテロ接合を構成する多層成長層と、上記多層成長層上に設けられたゲート電極と、このゲート電極の両側に設けられたソース電極とドレイン電極を基板上に有する電界効果トランジスタであって、上記多層成長層のうち上記ソース電極とゲート電極との間の領域に、この多層成長層の残りの領域よりも高濃度の不純物がイオン注入されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
