特許
J-GLOBAL ID：200903034652643938
薄膜太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-137668
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330613
出願日： 1995年06月05日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【目的】 剥がれのない良好な銅-インジウム-セレン三元合金層が、容易にかつ安価に得られる方法を提供する。【構成】 薄膜太陽電池の製造方法において、基板上にスパッタリングによりモリブデン層、銅層を形成し、インジウムイオンを含みセレンコロイドを分散させた溶液中で該銅層上にセレン分散インジウム層を電着によって形成し、これをセレンと共に密閉容器中で加熱する。
請求項（抜粋）：
薄膜太陽電池の製造方法において、次の4工程、即ち、(1) 基板上にスパッタリングによりモリブデン層を形成する工程、(2) 該モリブデン層上にスパッタリングにより銅層を形成する工程、(3) インジウムイオンを含み、かつ、セレンコロイドを分散させた溶液中で該銅層上にセレン分散インジウム層を電着によって形成し、プリカーサーを完成する工程、(4) 該プリカーサーをセレンと共に容器に入れ、該容器を密閉した後、加熱する工程、を有することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 31/04
, C23C 14/58
, H01L 21/203
, H01L 21/285 301
H01L 31/04 E
, C23C 14/58 B
, H01L 21/203 S
, H01L 21/285 301 R
