特許

J-GLOBAL ID：200903034656868365

半導体装置の故障解析方法および故障解析装置

発明者： 山下 洋
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-251227
公開番号（公開出願番号）：特開2003-066115
出願日： 2001年08月22日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：

【要約】【課題】 赤外線レーザー光を用いても半導体装置の故障箇所の特定を精度よく行える半導体装置の故障解析方法および故障解析装置を提供する。【解決手段】 半導体装置を搭載した半導体基板を裏面研磨する(ステップ1)。次に、研磨された半導体基板の裏面上の所定の箇所にマーキングする(ステップ2)。次に、マーキングされた所定の箇所と面対称の位置となる半導体基板の表面上の所定の箇所にマーキングする(ステップ2)。次に、赤外線レーザービームを半導体基板の裏面または表面から照射することにより半導体装置の故障箇所を特定する(ステップ3)。次に、故障箇所を荷電ビーム装置により解析する際に、マーキング位置により故障箇所を特定する(ステップ4)。

請求項（抜粋）：

半導体装置を搭載した半導体基板を裏面研磨する工程と、前記研磨された半導体基板の裏面上の所定の箇所にマーキングする工程と、前記マーキングされた所定の箇所と面対称の位置となる前記半導体基板の表面上の所定の箇所にマーキングする工程と、赤外線レーザービームを半導体基板の裏面または表面から照射することにより半導体装置の故障箇所を特定する工程とを有し、前記故障箇所を荷電ビーム装置により解析する際に、前記マーキング位置により故障箇所を特定することを特徴とする半導体装置の故障解析方法。

IPC (2件)：

G01R 31/302 ,  H01L 21/66

FI (2件)：

H01L 21/66 A ,  G01R 31/28 L

Fターム (8件)：

2G132AA00 ,  2G132AD01 ,  2G132AD10 ,  2G132AF14 ,  2G132AL12 ,  4M106DA05 ,  4M106DH07 ,  4M106DH60