特許

J-GLOBAL ID：200903034663122190

薄膜太陽電池の製造方法

発明者： 齊藤 清雄
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-250280
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116078
出願日： 1994年10月17日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】絶縁性基板上に積層した電極層/薄膜半導体層/電極層からなる薄膜太陽電池構造の分離加工を、電極層間の短絡が生ずることなしに任意の位置で、1回の加工工程でできるようにする。【構成】基板側から、ガラス切り、超音波カッタを用いて切断するが、円形パンチを複数回用いて長孔の貫通孔を形成することにより、基板の切断、穴明けと共にその上の各層を押し分ける力が働くので、電極層の短絡なしに分離できる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板の一面上に薄膜半導体層をその両面にそれぞれ接触する電極層と共に積層したのち、基板の他面の上方から工具を用いて力を加えることにより基板を加工すると共に基板一面上の積層各層を分離する工程を含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-027774
  
• 特開昭60-020586
  
• 特開昭63-283079
  
• 特開昭53-099887