特許
J-GLOBAL ID：200903034663180727
積層圧電単結晶素子、積層圧電単結晶素子の製造方法およびその積層圧電単結晶素子を用いた超音波プローブ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-281029
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102650
出願日： 1999年10月01日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 ペロブスカイト化合物から構成される圧電単結晶を用いた積層圧電単結晶素子の作製において、振動子間の接合強度、電気機械結合係数、個々のアレイ振動子の特性のバラツキの点で問題があった。【解決手段】 本発明は、ABO3型ペロブスカイト構造から構成される単結晶2a、2bをAg、Sn、Au、Pdなどの金属材料3a、3bを用いて2枚以上張り合わせ、300-900°Cの温度で加熱接着した後で、分極することにより、振動子間の接合強度を大きく、さらに電気機械結合係数を大きくし、そして個々のアレイ振動子の特性を揃えた積層単結晶素子を提供する。
請求項（抜粋）：
2枚以上のABO3型ペロブスカイト構造から構成される単結晶を金属材料を介して張り合わせことにより、電気機械結合係数をその単結晶単体の電気機械結合係数よりも大きな値にしたことを特徴とする積層圧電単結晶素子。
IPC (5件)：
H01L 41/083
, C04B 35/46
, H01L 41/09
, H01L 41/18
, H01L 41/22
C04B 35/46 M
, H01L 41/08 S
, H01L 41/08 U
, H01L 41/18 101 A
, H01L 41/22 Z
4G031AA03
, 4G031AA07
, 4G031AA11
, 4G031AA14
, 4G031AA15
, 4G031AA23
, 4G031AA26
, 4G031AA27
, 4G031AA32
, 4G031BA10
