特許

J-GLOBAL ID：200903034664470842

ITOのエッチング方法

発明者： 高畠 勝 ,  和久井 陽行 ,  三村 秋男 ,  小西 信武 ,  折付 良二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-303900
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151375
出願日： 1992年11月13日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 インジウム・スズ酸化物(ITO)のエッチング処理速度を速め、ITOとレジストとの選択比を向上させるITOのエッチング方法の提供。【構成】 基板1上に形成されたITO膜2を、フォトレジスト層3のマスクを用いてエッチングガスによりエッチングするITOのエッチング方法においては、エッチングガスとして臭素系化合物(例えば、HBr)を主成分とするガス4または臭素系化合物を含有(例えば、HBr+BCl3 )するガスを用いる。また、基板1上に形成されたITOと高融点金属との積層体を、フォトレジス層3のマスクを用いてエッチングガスによりエッチングするITOのエッチング方法においては、エッチングガスとして臭素系化合物を含有(例えば、HBr+BCl3 )するガスを用いる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたインジウム・スズ酸化物(ITO)を、レジストマスクを用いてエッチングガスによりエッチングするインジウム・スズ酸化物(ITO)のエッチング方法において、前記エッチングガスとして臭素系化合物を主成分とするガスまたは臭素系化合物を含有するガスを用いることを特徴とするインジウム・スズ酸化物(ITO)のエッチング方法。